北京（国际）第三代半导体创新发展论坛

地点：北京中德国际会议会展中心二层时间：06月01日 14:00 ~ 16:30

14:00-14:20	领导致辞
14:20-14:35	产业推介
14:35-14:40	项目签约
14:40-17:00	主旨演讲
14:40-15:10	《高速光电子器件是新质生产力的基础》罗毅中国工程院院士、清华大学教授
15:10-15:35	《宽禁带半导体碳化硅的晶体生长研究和产业化》陈小龙中国科学院物理研究所研究员
15:35-15:55	《国内外碳化硅器件技术及产业化进展》张清纯复旦大学特聘教授
15:55-16:15	《多波长GaN LED芯片技术及其在半导体全光谱照明和显示领域的应用》闫春辉九峰山实验室首席光电科学家
16:15-16:40	《安世碳化硅半导体，赋能电动化和能效优化的未来》 Katrin Feurle 安世半导体碳化硅产品组负责人
16:40-17:00	《SIC大规模产业化发展路径探索》严飞芯联集成电路制造股份有限公司副总裁

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